| 型号： | ESM2012DV | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | STMicroelectronics | 描述： | IC PWR MODULE DARL NPN ISOTOP |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 半导体模块 >> 晶体管 |
| ESM2012DV PDF |  |
| 标准包装 | 10 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 120A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 120V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 1.5V @ 1A，100A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 1200 @ 100A，5V |
| 功率 - 最大 | 175W |
| 频率 - 转换 | - |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | ISOTOP |
| 供应商设备封装 | ISOTOP? |
| 包装 | 管件 |